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SEMIKRON IGBT模块SEMITRANS命名方法
SEMIKRONIGBT模块SEMITRANS命名方法:SKM200GB123DL①②③④⑤⑥⑦⑧⑧①SEMIKRON元件②M:MOS技术D:七单元模块(三相整流桥加IGBT斩波器)③集电极电流等级(...
2026/6/244 -
铝电解电容使用注意事项
铝电解电容使用注意事项:为确保产品的*高稳定度和性能,在使用铝电解电容时,须注意以下注意事项.当您的应用设计环境或工作环境超出产品规范的限制时,请与我们联系.如果使用条件超出产品规范的限制,可能会引起...
2026/6/247 -
IGBT驱动器
IGBT驱动器绝缘栅双极型晶体管(IGBT模块)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用,在实际使用中除IGBT自身外,IGBT驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算...
2026/6/245 -
ABB变频器的常见故障及维修
1引言abb是一个在欧洲乃至都享有盛誉的品牌,高低压变频器、高低压电器、变压器、电机、发电设备等等都是它的成熟产品,在电厂、化工、造纸、冶金等各行各业更是被广泛应用。应该说abb的产品在国内还是得到了...
2026/6/243 -
IGBT在汽车点火系统中的应用
IGBT在汽车点火系统中的应用要产生火花,所需的器件包括电源、电池、变压器(即点火线圈),以及用于控制变压器初级电流的开关。电子学教科书告诉我们V=Ldi/dt。因此,如果线圈初级绕组中的电流发生瞬间...
2026/6/244 -
变频器常见故障和预防
1变频器的故障原因及预防措施变频器由主回路、电源回路、IPM驱动及保护回路、冷却风扇等几部分组成。其结构多为单元化或模块化形式。由于使用方法不正确或设置环境不合理,将容易造成变频器误动作及发生故障,或...
2026/6/245 -
IGBT使用注意事项
IGBT使用注意事项:使用中IGBT的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极...
2026/6/244 -
恒压供水变频器安装方法
变频恒压供水设备的系统的调试是一项细致的工作,稍微不注意,系统就无法正常运行,有多时候,并不是设备有什么问题,而是调试工作没有到位,致使很多客户就觉得是产品质量不行之类的问题。一、变频恒压供水系统调试...
2026/6/243 -
英飞凌第7代IGBT7
英飞凌第7代IGBT7亮点开发出的芯片由IGBT7和EC(发射极-控制)7二极管组成,能*好地满足变频通用驱动(GPD)的所有需求。具有优良的控制能力,在所有与应用有关的电流等级下具有足够的软度,静态...
2026/6/243 -
新洁能功率半导体命名规则介绍
新洁能致力于推广性能**、质量稳定并且**价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供**的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,配合的封装技术,为您提供100mA至400A的电流...
2026/6/242 -
三菱功率模块半导体器件系列
SiC-MOSFETSiC-MOSFET发挥新材料SiC的特性,能够突破性地降低电源系统的功率损耗。SiC-SBDSiC分立器件发挥新材料SiC的特性,能够突破性地降低空调等的电源系统的功率损耗。Si...
2026/6/242 -
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新的CoolSiC™MOSFET650V和1200VGener...
2026/6/245 -
英飞凌全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5kVXHP™3IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000V至3300V交流电压的...
2026/6/246 -
英飞凌推出62 mm封装CoolSiC产品组合,实现高效率和功率密度
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计并基...
2026/6/247 -
英飞凌推出第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX:IFNNY)推出分立式650VIGBT7H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™IGBT产品阵容。全新器件配备**的EC7共封...
2026/6/2413 -
英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合,推出全新电流额定值模块
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出搭载1200VTRENCHSTOP™IGBT7芯片的62mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的*大电流规格高达800...
2026/6/244 -
英飞凌推出专为牵引驱动而优化的全新IHM/IHV B功率模块——*大运行温度达+150°C,功耗大幅度削减,具备高功率循环能力
英飞凌科技公司IHM/IHVB系列的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。运用这个全新的模块,用户可设计出能够在严酷的环境下正常工作,**满足大负荷与温度循环要求的高效功率变频器,如机车、列车和电车的牵引...
2026/6/243 -
英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%
逐步淘汰化石燃料这一趋势给包括交通运输在内的许多行业都带来了挑战。举例来说,整个社会向绿色出行方式转型,就需要减少短途航班及驾车出行,而这势必会促进轨道交通的发展。政府发布的减碳措施也印证了这一点:例...
2026/6/242 -
英飞凌推出专为工业设备和风车而优化的功率模块
英飞凌科技股份公司推出全新1200伏和1700伏电压级功率模块PrimePACKTM,其重量比同等功率的模块低45%。英飞凌是目前**一家能够生产如此紧凑高效的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的半导体...
2026/6/244 -
英飞凌IGBT模块命名规则
要想搭建一个优良的电力电子系统,正确的功率器件选型。然而很多新入行的同学恐怕会对IGBT冗长的料号看不懂,但实际上功率器件的命名都是有规律可循的。几个字母和数字,便能反映比如电压/电流等级、拓扑、封装...
2026/6/246
